Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single SSM6J501NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF

Número da peça
SSM6J501NU,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça SSM6J501NU,LF
Status da Parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.9nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-UDFNB (2x2)
Pacote / Caso 6-WDFN Exposed Pad
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