Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF

Numero de parte: SSM6J501NU,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto

Numero de parte	SSM6J501NU,LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	29.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	6-UDFNB (2x2)
Paquete / caja	6-WDFN Exposed Pad