Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSH112,235

NXP USA Inc. BSH112,235

Número da peça
BSH112,235
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Parâmetro do produto
Número da peça BSH112,235
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Vgs (Max) ±15V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-236AB (SOT23)
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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