Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BSH112,235

NXP USA Inc. BSH112,235

Numero di parte
BSH112,235
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BSH112,235
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Vgs (massimo) ±15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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