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| Número da peça | JANTX2N6299 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | PNP - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 16mA, 4A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Power - Max | 64W |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-213AA, TO-66-2 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4
