Numéro d'article | JANTX2N6299 |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 16mA, 4A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500µA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
Puissance - Max | 64W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-213AA, TO-66-2 |
Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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