Número da peça | APT40GR120B2D30 |
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Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 88A |
Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 160A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 40A |
Power - Max | 500W |
Mudança de energia | 1.38mJ (on), 906µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do portão | 210nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 22ns/163ns |
Condição de teste | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-247-3 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247-3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Em estoque: 5
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Em estoque: 2905
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Em estoque: 355