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| Numéro d'article | APT40GR120B2D30 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 88A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 40A |
| Puissance - Max | 500W |
| Échange d'énergie | 1.38mJ (on), 906µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 210nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 22ns/163ns |
| Condition de test | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247-3 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V TO-247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355
