Número da peça | APT34F100L |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1000V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9835pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1135W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 18A, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-264 [L] |
Pacote / Caso | TO-264-3, TO-264AA |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Em estoque: 31
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Em estoque: 564
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Em estoque: 17
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Em estoque: 2903
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Em estoque: 125
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Em estoque: 77
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Em estoque: 3