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| Numero di parte | APT34F100L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9835pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 18A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Disponibile: 31
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Disponibile: 564
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Disponibile: 17
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Disponibile: 2903
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Disponibile: 125
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Disponibile: 77
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Disponibile: 3
