provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Número da peça | APT30N60BC6 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 960µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2267pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 219W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 14.5A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 [B] |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Em estoque: 31
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Em estoque: 564
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Em estoque: 17
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Em estoque: 2903
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Em estoque: 125
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Em estoque: 77
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Em estoque: 3
