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| Numero de parte | APT30N60BC6 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 960µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2267pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 219W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 14.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3
