Número da peça | APT15GP60BG |
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Status da Parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | PT |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 600V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 56A |
Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 65A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
Power - Max | 250W |
Mudança de energia | 130µJ (on), 121µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do portão | 55nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 8ns/29ns |
Condição de teste | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-247-3 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 [B] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Em estoque: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Em estoque: 30