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| Numero di parte | APT15GP60BG |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 56A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 65A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
| Potenza - Max | 250W |
| Cambiare energia | 130µJ (on), 121µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 55nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 8ns/29ns |
| Condizione di test | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 14
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Disponibile: 7
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Disponibile: 30
