Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF NESG2107M33-A

CEL NESG2107M33-A

Número da peça
NESG2107M33-A
Fabricante
CEL
Descrição
TRANS NPN 2GHZ M33
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

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Parâmetro do produto
Número da peça NESG2107M33-A
Status da Parte Obsolete
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 5V
Frequência - Transição 10GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Ganho 7dB ~ 10dB
Power - Max 130mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 5mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 3-SMD, Flat Leads
Pacote de dispositivos de fornecedores 3-SuperMiniMold (M33)
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