Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF NESG2101M05-A

CEL NESG2101M05-A

Número da peça
NESG2101M05-A
Fabricante
CEL
Descrição
TRANS NPN 2GHZ M05
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

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Parâmetro do produto
Número da peça NESG2101M05-A
Status da Parte Discontinued at Digi-Key
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 5V
Frequência - Transição 17GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Ganho 11dB ~ 19dB
Power - Max 500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 15mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-343F
Pacote de dispositivos de fornecedores M05
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