Toshiba Semiconductor and Storage TH58BYG2S3HBAI6

부품 번호: TH58BYG2S3HBAI6
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부: Lead free / RoHS Compliant
가족: 메모리

Toshiba Semiconductor and Storage

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재고 있음 240 pcs

참고 가격
(미국 달러화)
1 pcs
1.60800/pcs
10 pcs
1.39320/pcs
25 pcs
1.36308/pcs
50 pcs
1.35552/pcs

합계:1.60800/pcs

Unit Price:

1.60800/pcs

목표 주가:

수량:

제품 매개 변수

부품 번호	TH58BYG2S3HBAI6
부품 상태	Active
메모리 유형	Non-Volatile
메모리 형식	EEPROM
과학 기술	EEPROM - NAND
메모리 크기	4Gb (512M x 8)
클럭 주파수	-
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	25ns
액세스 시간	25ns
메모리 인터페이스	Parallel
전압 - 공급	1.7 V ~ 1.95 V
작동 온도	-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	67-VFBGA
공급 업체 장치 패키지	67-VFBGA (6.5x8)