Toshiba Semiconductor and Storage TH58BYG2S3HBAI6

部品番号: TH58BYG2S3HBAI6
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
説明: IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: Lead free / RoHS Compliant
家族: メモリ

Toshiba Semiconductor and Storage

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参考価格
（米ドル）
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10 pcs
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25 pcs
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50 pcs
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合計:1.60800/pcs

Unit Price:

1.60800/pcs

目標価格:

量:

製品パラメータ

部品番号	TH58BYG2S3HBAI6
部品ステータス	Active
メモリの種類	Non-Volatile
メモリフォーマット	EEPROM
技術	EEPROM - NAND
メモリー容量	4Gb (512M x 8)
クロック周波数	-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	25ns
アクセス時間	25ns
メモリインターフェイス	Parallel
電圧 - 供給	1.7 V ~ 1.95 V
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	67-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ	67-VFBGA (6.5x8)