제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NSV20101JT1G

ON Semiconductor NSV20101JT1G

부품 번호
NSV20101JT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS NPN 20V 1A 89SC3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 NSV20101JT1G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 1A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 20V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 220mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
전력 - 최대 255mW
빈도 - 전환 350MHz
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490
공급 업체 장치 패키지 SC-89-3
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