Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NSV20101JT1G

ON Semiconductor NSV20101JT1G

Numero di parte
NSV20101JT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS NPN 20V 1A 89SC3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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0.32340/pcs
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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte NSV20101JT1G
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 100mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Potenza - Max 255mW
Frequenza - Transizione 350MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-89, SOT-490
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-3
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Descrizione: TRANS NPN 20V 1A 89SC3

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RFQ 0.32340/pcs
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Descrizione: TRANS PNP 20V 2A SOT-23

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Disponibile: 0

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fabbricante: ON Semiconductor

Descrizione: TRANS NPN 50V 0.15A SOT723

Disponibile: 0

RFQ 0.02570/pcs