제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이 NSS40302PDR2G

ON Semiconductor NSS40302PDR2G

부품 번호
NSS40302PDR2G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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수량:
제품 매개 변수
부품 번호 NSS40302PDR2G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN, PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 3A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 40V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
전력 - 최대 653mW
빈도 - 전환 100MHz
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 8-SOIC
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