Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NSS40302PDR2G

ON Semiconductor NSS40302PDR2G

Artikelnummer
NSS40302PDR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Gesamt:0.13946/pcs Unit Price:
0.13946/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer NSS40302PDR2G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Leistung max 653mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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