제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF MRF5812R1

Microsemi Corporation MRF5812R1

부품 번호
MRF5812R1
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRANS NPN 15V 200MA SO8
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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제품 매개 변수
부품 번호 MRF5812R1
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 15V
빈도 - 전환 5GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
이득 13dB ~ 15.5dB
전력 - 최대 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 200mA
작동 온도 -
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 8-SO
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