ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF MRF5812R1

Microsemi Corporation MRF5812R1

部品番号
MRF5812R1
メーカー
Microsemi Corporation
説明
TRANS NPN 15V 200MA SO8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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製品パラメータ
部品番号 MRF5812R1
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 15V
周波数 - 遷移 5GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
利得 13dB ~ 15.5dB
電力 - 最大 1.25W
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 50 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 200mA
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
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