部品番号 | VS-GT100TP60N |
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部品ステータス | Active |
IGBTタイプ | Trench |
構成 | Half Bridge |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 600V |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 160A |
電力 - 最大 | 417W |
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 5mA |
入力容量(Cies)@ Vce | 7.71nF @ 30V |
入力 | Standard |
NTCサーミスタ | No |
動作温度 | 175°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | INT-A-PAK (3 + 4) |
サプライヤデバイスパッケージ | INT-A-PAK |
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 1200V 258A 893W SOT-227
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 600V 184A 577W SOT-227
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 600V 200A 652W SOT-227
在庫あり: 0
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227
在庫あり: 156