ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - IGBT - モジュール VS-GT100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP120N

部品番号
VS-GT100TP120N
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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製品パラメータ
部品番号 VS-GT100TP120N
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ Trench
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 180A
電力 - 最大 652W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.35V @ 15V, 100A
電流 - コレクタ遮断(最大) 5mA
入力容量(Cies)@ Vce 12.8nF @ 30V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤデバイスパッケージ INT-A-PAK
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