ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル MJD253-1G

ON Semiconductor MJD253-1G

部品番号
MJD253-1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS PNP 100V 4A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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量:
製品パラメータ
部品番号 MJD253-1G
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 4A
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 100V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 600mV @ 100mA, 1A
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 40 @ 200mA, 1V
電力 - 最大 1.4W
周波数 - 遷移 40MHz
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
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