Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SIHB21N65EF-GE3

Vishay Siliconix SIHB21N65EF-GE3

Numero di parte
SIHB21N65EF-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 2480 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    2.66000/pcs
  • 10 pcs

    2.51100/pcs
  • 100 pcs

    2.05880/pcs
  • 500 pcs

    1.66714/pcs
  • 1,000 pcs

    1.40602/pcs
Totale:2.66000/pcs Unit Price:
2.66000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SIHB21N65EF-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2322pF @ 100V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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