Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln SIHB21N65EF-GE3

Vishay Siliconix SIHB21N65EF-GE3

Artikelnummer
SIHB21N65EF-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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    (In US-Dollar)

  • 1 pcs

    2.66000/pcs

  • 10 pcs

    2.51100/pcs

  • 100 pcs

    2.05880/pcs

  • 500 pcs

    1.66714/pcs

  • 1,000 pcs

    1.40602/pcs
Gesamt:2.66000/pcs Unit Price:
2.66000/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer SIHB21N65EF-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2322pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 208W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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