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| Numero di parte | HN2C01FEYTE85LF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Potenza - Max | 100mW |
| Frequenza - Transizione | 60MHz |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Disponibile: 3000
