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| Artikelnummer | HN2C01FEYTE85LF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | 2 NPN (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 150mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Leistung max | 100mW |
| Frequenz - Übergang | 60MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | ES6 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Auf Lager: 3000
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Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
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