Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR,LF

Numero di parte: HN1B04FE-GR,LF
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - Array

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 10000 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.01871/pcs
4,000 pcs
0.02656/pcs
8,000 pcs
0.02310/pcs
12,000 pcs
0.01963/pcs
28,000 pcs
0.01848/pcs
100,000 pcs
0.01540/pcs

Totale:0.01871/pcs

Unit Price:

0.01871/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	HN1B04FE-GR,LF
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Potenza - Max	100mW
Frequenza - Transizione	80MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6