Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR,LF

Numero de parte: HN1B04FE-GR,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos

Toshiba Semiconductor and Storage

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En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
0.01871/pcs
4,000 pcs
0.02656/pcs
8,000 pcs
0.02310/pcs
12,000 pcs
0.01963/pcs
28,000 pcs
0.01848/pcs
100,000 pcs
0.01540/pcs

Total:0.01871/pcs

Unit Price:

0.01871/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	HN1B04FE-GR,LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Potencia - Max	100mW
Frecuencia - Transición	80MHz
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6