Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BFG67,215

NXP USA Inc. BFG67,215

Numero di parte
BFG67,215
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANS RF NPN 8GHZ 10V SOT143B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BFG67,215
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Frequenza - Transizione 8GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Guadagno -
Potenza - Max 380mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50mA
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-143B
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