제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFG67,215

NXP USA Inc. BFG67,215

부품 번호
BFG67,215
제조사
NXP USA Inc.
기술
TRANS RF NPN 8GHZ 10V SOT143B
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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제품 매개 변수
부품 번호 BFG67,215
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 10V
빈도 - 전환 8GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득 -
전력 - 최대 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 50mA
작동 온도 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA
공급 업체 장치 패키지 SOT-143B
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