Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli BC517,112

NXP USA Inc. BC517,112

Numero di parte
BC517,112
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BC517,112
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
Potenza - Max 625mW
Frequenza - Transizione 220MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
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