Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln BC517,112

NXP USA Inc. BC517,112

Artikelnummer
BC517,112
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Produktparameter
Artikelnummer BC517,112
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
Leistung max 625mW
Frequenz - Übergang 220MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Lieferantengerätepaket TO-92-3
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