Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli APTM10UM01FAG

Microsemi Corporation APTM10UM01FAG

Numero di parte
APTM10UM01FAG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 105 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    95.74500/pcs
  • 10 pcs

    91.12100/pcs
  • 25 pcs

    87.81960/pcs
Totale:95.74500/pcs Unit Price:
95.74500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APTM10UM01FAG
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 860A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 275A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
Pacchetto / caso SP6
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