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| Numero de parte | APTM10UM01FAG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 860A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2100nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 275A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP6 |
| Paquete / caja | SP6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
En stock: 0
