Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT70GR120JD60

Microsemi Corporation APT70GR120JD60

Numero di parte
APT70GR120JD60
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 40 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    19.47000/pcs

  • 10 pcs

    18.01050/pcs

  • 25 pcs

    16.55020/pcs

  • 100 pcs

    15.38190/pcs
Totale:19.47000/pcs Unit Price:
19.47000/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT70GR120JD60
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 112A
Potenza - Max 543W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A
Corrente - Limite del collettore (max) 1.1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.26nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227
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