provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT70GR120JD60 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 112A |
| Leistung max | 543W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1.1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Auf Lager: 16
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264
Auf Lager: 45
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Auf Lager: 52
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
Auf Lager: 0
