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| Numero di parte | APT60N60BCSG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 431W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 44A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Disponibile: 4
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Disponibile: 2
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Disponibile: 15
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Disponibile: 25
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Disponibile: 375
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Disponibile: 0
