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| Numero de parte | APT60N60BCSG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 431W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 44A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
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Fabricante: Microsemi Corporation
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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
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