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| Numero di parte | APT40SM120B |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
| Vgs (massimo) | +25V, -10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V TO-247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Disponibile: 5
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Disponibile: 2905
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Disponibile: 355
