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| Numéro d'article | APT40SM120B |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V TO-247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355
