Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli APT25SM120S

Microsemi Corporation APT25SM120S

Numero di parte
APT25SM120S
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
POWER MOSFET - SIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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7.78387/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT25SM120S
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10A, 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D3
Pacchetto / caso D-3 Module
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