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| Numero di parte | APT25GR120SSCD10 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 521W |
| Cambiare energia | 434µJ (on), 466µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 203nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 16ns/122ns |
| Condizione di test | 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 67A 272W TO247
Disponibile: 13
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
Disponibile: 29
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Disponibile: 284
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 900V 72A 417W TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 900V 72A 417W TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 75A 521W TO247
Disponibile: 285
