Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT25GR120SSCD10

Microsemi Corporation APT25GR120SSCD10

Artikelnummer
APT25GR120SSCD10
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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10.13000/pcs
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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT25GR120SSCD10
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 75A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 100A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A
Leistung max 521W
Energie wechseln 434µJ (on), 466µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 203nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 16ns/122ns
Testbedingung 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Lieferantengerätepaket D3Pak
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