Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli APT22F120B2

Microsemi Corporation APT22F120B2

Numero di parte
APT22F120B2
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 17 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    12.27500/pcs
  • 30 pcs

    10.92934/pcs
Totale:12.27500/pcs Unit Price:
12.27500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT22F120B2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8370pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
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