Diodes Incorporated DMN33D8LT-7

Numero di parte: DMN33D8LT-7
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.115A
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Diodes Incorporated

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Numero di parte	DMN33D8LT-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	115mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	48pF @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	240mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-523
Pacchetto / caso	SOT-523